UNIDAD 4. DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS DE DISPARO

4.1 Dispositivos de disparo tiristoricos

Los dispositivos de disparo permiten la aplicacion de pulsos de corriente a la compuerta de los SCR y a los TRIAC para hacerlos entrar en conduccion. Estos son:

SUS (Conmutador unidireccional de silicio)

Se llama SUS combinación de un tirirstor con puerta anódica y un diodo Zener entre puerta y cátodo.
• Se usa para el disparo de tiristores. Su principal parámetro es VS ˜ 6 y 10 V.
• Se dispara a una tensión fija, Vzener , y su corriente IS está muy cercana a IH .
• Sincronización mediante impulsos en puerta del SUS.

Se comporta esencialmente como diodo de cuatro capas de bajo voltaje y con compuerta para su disparo. Se controla con mayor exactitud y depende menos de la temperatura que el diodo de cuatro capas.

 

Aplicaciones practicas del SUS:

2N4987

SBS (Conmutador bidireccional de silicio)

Se llama SBS (Silicon Bilateral Switch) a una clase de tiristor bidireccional. Está formado por dos SUS conectados en antiparalelo. A diferencia de otros tiristores, el SBS, desde un punto de vista tecnológico, no es una versión mejorada del diodo npnp, sino que es un circuito integrado que incorpora diodos Zener conectados a la puerta, transistores y resistencias. Esto le da la ventaja de poder aparear estrechamente los componentes, consiguiendo una asimetría en la tensión de disparo inferior a medio voltio. Aunque funciona como un dispositivo de dos puertas, se ha incorporado un electrodo de puerta para una mayor flexibilidad en el uso del dispositivo.

Aplicaciones practicas del SBS:

2N4993

 

SCS (Conmutador controlado de silicio)

La operación básica del SCS puede comprenderse refiriéndose al equivalente con transistores que se muestra en la figura 1.2. Se supone que ambos Q1 y Q2 están apagados y que, por lo tanto, el SCS no conduce. Un pulso positivo en la compuerta anódica lleva al Q2 hacia la conducción y proporciona así una trayectoria para la corriente de base al Q1. Cuando éste se enciende, su corriente de colector proporciona excitación de base al Q2, manteniendo así el estado encendido del dispositivo. Esta acción regenerativa es la misma en que el proceso de encendido del SCR y el diodo Shockley y .El SCS también puede encenderse con un pulso negativo en la compuerta del ánodo. Esto energiza al Q1 hacia conducción, en el que a su vez proporciona corriente de base para el Q2. Una vez que el Q2 está encendido, proporciona una trayectoria para la corriente de base del Q1, sosteniendo así el estado encendido.

Para apagar SCS se aplica un pulso positivo a la compuerta del ánodo. Esta acción polariza e inversa a la unión base-emisor del Q1 y lo apaga. El Q2 a su vez, se apaga y el SCS deja de conducir como se muestra en la parte (b). El SCS tiene comúnmente un tiempo de apagado más rápido que el SCR.

Además del pulso positivo en la compuerta del ánodo o el negativo en la del cátodo, existen otros métodos para apagar un SCS. En cada caso, el transistor opera como un interruptor. Tiene aplicaciones semejantes a las del SCR y en aplicaciones digitales como contadores, registradores y circuitos de sincronizacion.

Aplicaciones practicas del SCS:

NTE239

4.2 Osciladores de Disparo

UJT (Transistor de union unica)

El transistor uniunión (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tienee una sola union PN.

Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro ?, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrinseco.

La razon de espera nos da la relacion entre ambas resistencias como una caracteristica tipica de los UJT como el Hfe del BJT que son distintos para cada transistor en particular.

Cuando el voltaje Veb1 sobrepasa un valor vp de ruptura, el ujt presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta region se llama region de resistencia negativa, este es un proceso reiterativo, por lo que esta region no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.

Aplicaciones practicas del UJT:

2N4871

2N2646

PUT (Transistor de union programable)

Se llama PUT (Programmmable Uniunion Transistor) a un dispositivo semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del UJT. Es un tipo de tiristor y, a veces, se le llama "tiristor disparado por ánodo" debido a su configuración.Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es más flexible, ya que la puerta se conecta a un divisor de tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.

Si el PUT esta polarizado directamente y aplicamos Vag = .7V, entra en conduccion. El PUT permanece encendido hasta que el voltaje anodico es insuficiente entonces se apaga. El apagado se debe a que la corriente anodica llega un valor ligeramente menor a la corriente de sostenimiento.

El PUT es otro tiristor parecido a un SCR de baja potencia que se puede disparar mediante .7v entre el anodo y la compuerta anodica.

Aplicaciones practicas del PUT:

2N6027

CORREOS ELECTRONICOS EN CASO DE DUDAS O SUGERENCIAS

Salomōn Carrillo Acuņa: nomolas2004@yahoo.com.mx
Āngel Ivān Dėaz Santana: elsa_bamex@hotmail.com